散熱處理為LED燈具設(shè)計關(guān)鍵

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  LED與傳統(tǒng)光源一樣會在發(fā)光時產(chǎn)生高熱,只是鎢絲燈光源將熱集中在燈絲中,但LED的光源熱度卻集中在發(fā)光二極體的PN接面上,兩者相較起來,鎢絲燈的散熱面積仍遠大于PN接面的面積,甚至PN接面可以視為1個點,LED發(fā)光產(chǎn)生的熱能全部集中在單一點上。

  在工程設(shè)計方面,“面」形式產(chǎn)生的熱可用散熱片或是自體增加熱對流空間即可處理,但“點」狀的熱源在散熱處理就更為復雜與困難,處理不妥很容易造成PN接面因高熱、高電流出現(xiàn)擊穿損壞,而組件長期處于高熱,也會讓產(chǎn)品的可用壽命受到影響。

  LED 晶粒為提升亮度表現(xiàn),必須在單位LED上施加更多電源功率,同時燈具設(shè)計也會采較多數(shù)量的LED同時運行,這將使燈具內(nèi)產(chǎn)生大量的熱。當單顆LED晶粒隨亮度提升,功耗也由0.1W提升到1、3、甚至5W,經(jīng)LED光源模型實測分析結(jié)果,封裝模組也會因增加發(fā)光效能而出現(xiàn)熱阻抗攀升的問題。

  LED 平均壽命會隨著施加功率提升而縮短,塬本單顆LED組件具20,000~40,000小時壽命,可能因功率與散熱處理不佳降至僅2,000小時!散熱處理若從組件端著手,可在芯片設(shè)計階段即進行散熱規(guī)劃,針對LED磊晶進行的散熱設(shè)計方式,針對高功率、高亮度的LED組件使用覆晶(Flip-Chip)形式,利用覆晶將磊晶內(nèi)的熱傳導出來。另一種方式是采垂直電極制作LED,可在散熱問題上得到更大幫助。

  一般LED制程利用光學環(huán)氧樹脂包住LED,藉此使LED具更強的機械強度以保護組件內(nèi)線路,但環(huán)氧樹脂同時限制組件操作溫度范圍。高亮度、高功率LED組件改用Lumileds Luxeon封裝法,散熱路徑改為集中在下方金屬,同時改用光學、耐高溫、耐強光硅樹脂封裝。電路載板也是LED光源的重要散熱途徑,一般產(chǎn)品采 FR4(PCB)制作,熱傳導性能表現(xiàn)一般,改善作法為采MCPCB(Metal Core Printed Circuit Board)、 IMS(Integrated Metal Substrate)處理,提升載板的熱傳導能力。

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